г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF4905SPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF4905SPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
443 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF4905SPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
94-2494PBF,SP001563360,94-2494PBF-ND
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA80R600P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220, N-Channel 800 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BFP640ESDH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Подробнее
Артикул: SDT06S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: AUIRFR1018E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF6720S2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET, N-Channel 30 V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Подробнее
Артикул: BF999E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23, RF Mosfet N-Channel 10 V 10 mA 45MHz 27dB - PG-SOT23
Подробнее