г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7306PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7306PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
189 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7306PBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7306PBF
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001564984
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD042P03L3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3, P-Channel 30 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK, N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IDH06G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF8707TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее