г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7343PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7343PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
382 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7343PBF.jpg
Base Product Number
IRF7343PBF
Other Names
SP001571976
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,800
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IPP65R660CFDAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPD135N08N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3, N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRLML0100TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23, N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRF7821TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее