г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7380PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7380PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7380PBF.jpg
Base Product Number
IRF7380PBF
Other Names
*IRF7380PBF,INFINFIRF7380PBF,SP001555280,2156-IRF7380PBF-IT
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,800
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF8714TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD50R380CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3, N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BAR66E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFZ46NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB, N-Channel 55 V 53A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее