IRF7389TR Infineon Technologies
Артикул
IRF7389TR
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7389TR.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2.5W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут