г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP064NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP064NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
567 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP064NPBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001554926,2156-IRFP064NPBF-448,*IRFP064NPBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP064
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF2907ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGBC30S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT STD 600V 34A TO-220AB, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IHW20N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BAS3010B03WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2, Diode Schottky 30 V 1A Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF7314TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP7718PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, N-Channel 75 V 195A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее