г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7401PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7401PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO, N-Channel 20 V 8.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
189 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7401PBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.7A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001566310
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7811
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO, N-Channel 28 V 14A (Ta) 3.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG7PSH73K10PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 220A SUPER247, IGBT Trench 1200 V 220 A 1150 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IGP40N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A TO220-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: DD500S33HE3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DD500S33 - RECTIFIER DIODE MODUL, Diode
Подробнее