г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7780MTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7780MTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET, N-Channel 75 V 89A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Цена
553 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7780MTRPBF.jpg
Package / Case
DirectFET™ Isometric ME
Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric ME
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6504 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
StrongIRFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
89A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7780MTRPBFCT,IRF7780MTRPBF-ND,IRF7780MTRPBFTR,SP001551498,IRF7780MTRPBFDKR
Standard Package
4,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF7780
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 100A, IGBT Module NPT Single 1200 V 100 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF5805
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6, P-Channel 30 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: TDB6HK180N16RRBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCR MODULE VDRM 1600V 70A, SCR Module Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее