г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7809AVTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, N-Channel 30 V 13.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
226 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7809AVTRPBF.jpg
Other Names
IRF7809AVTRPBF-ND,*IRF7809AVTRPBF,IRF7809AVPBFTR,SP001555654,IRF7809AVPBFCT,IRF7809AVTRPBFTR-ND,IRF7809AVPBFDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3780 pF @ 16 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Base Product Number
IRF7809
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
4,000
Vgs (Max)
±12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPD15N06S2L-64
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3, N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1400V 40A 167W TO247AD, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7452
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO, N-Channel 100 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 150A 790W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 790 W Surface Mount Module
Подробнее