г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7855TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7855TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, N-Channel 60 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
312 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7855TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001555708,IRF7855TRPBF-ND,IRF7855TRPBFTR,IRF7855TRPBFDKR,IRF7855TRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF7855
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR146
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPD075N03LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF7303PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IPP60R125CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3, N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFH5303TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN, N-Channel 30 V 23A (Ta), 82A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее