г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF8707TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF8707TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
96 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF8707TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001555780,IRF8707TRPBFDKR,IRF8707TRPBFCT,IRF8707TRPBFTR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF8707
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB7440GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLU8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 160A IPAK, N-Channel 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: AUIRF1405ZL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 150A TO262, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: IRFS41N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK, N-Channel 150 V 41A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BBY51-03W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее