г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF9389TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF9389TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF9389TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
398pF @ 15V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF9389
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.8A, 4.6A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001551666,IRF9389TRPBFTR,IRF9389TRPBFCT,IRF9389TRPBFDKR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC350N20NSFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1, N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BAS170WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323-2, Diode Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRFB4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB, N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK, N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRL80HS120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN, N-Channel 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее