IRF9953 Infineon Technologies
Артикул
IRF9953
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF9953.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF9953
Standard Package
95
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут