г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4228PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4228PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB, N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
634 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB4228PBF.jpg
Other Names
INFIRFIRFB4228PBF,2156-IRFB4228PBF,SP001575554
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFB4228
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
100
Vgs (Max)
±30V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS3005B-02VH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
Подробнее
Артикул: BFR183E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC027N06LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG8P50N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC, IGBT - 1200 V 80 A 350 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLR6225PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее