г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB7437PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB7437PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
312 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB7437PBF.jpg
Other Names
2156-IRFB7437PBF,INFINFIRFB7437PBF,SP001556080
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IRFB7437
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R125P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Подробнее
Артикул: IRF7379
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: AUIRF7647S2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.9A (Ta), 24A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SC
Подробнее
Артикул: BFQ790H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89, RF Transistor NPN 6.1V 300mA 1.85GHz 1.5W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее