г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB7446PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB7446PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
251 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB7446PBF.jpg
Other Names
2156-IRFB7446PBF-448,SP001577760
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
99W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3183 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IRFB7446
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSD235NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7413PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее