г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB7540PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB7540PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 110A TO220, N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
289 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB7540PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4555 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001563988,2156-IRFB7540PBF,IFEINFIRFB7540PBF
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFB7540
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP21N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3, N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSC042NE7NS3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSB017N03LX3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON, N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: BSC026NE2LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON, N-Channel 25 V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее