г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFH8330TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFH8330TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN, N-Channel 30 V 17A (Ta), 56A (Tc) 3.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Цена
40 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFH8330TRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFH8330TRPBFDKR,SP001566818,IRFH8330TRPBFTR,IRFH8330TRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFH8330
Power Dissipation (Max)
3.3W (Ta), 35W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AIMW120R035M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BAS40-05W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAS40 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFR4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 100V 56A DPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFR5505TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее