г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFL024ZTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, N-Channel 55 V 5.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
138 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL024ZTRPBF.jpg
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001560488,IRFL024ZTRPBF-ND,IRFL024ZTRPBFCT,IRFL024ZTRPBFTR,IRFL024ZTRPBFDKR
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFL024
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R199CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP, N-Channel 650 V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRL2505PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB, N-Channel 55 V 104A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Подробнее
Артикул: IPD40DP06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3, P-Channel 60 V 4.3A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRF8313TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее