г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL4310PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFL4310PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V SOT223, N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount -
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL4310PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
-
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
648037PBF,64-8037PBFTR,SP001562536,IRFL4310PBFINACTIVE,2156-IRFL4310PBF-ITTR,IRFL4310PBFCT,SP001578066,INFINFIRFL4310PBF,64-8037PBF,64-8037PBF-ND,IRFL4310PBFTR,IRFL4310PBF-ND,*IRFL4310PBF,64-8037PBFCT-ND,64-8037PBFTR-ND,64-8037PBFCT
Standard Package
2,500
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS116E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPU08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: FF450R17ME4PBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 900A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 900 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IHW30N90T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 900 V 60 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR146
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее