г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL4315TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFL4315TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223, N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL4315TRPBF.jpg
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFL4315TRPBFDKR,IRFL4315TRPBFTR,IRFL4315TRPBFCT,IRFL4315TRPBF-ND,SP001556696
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFL4315
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R070CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее
Артикул: IPP029N06NAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3, N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BC808-40
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPD60R600CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFB7440GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFSL4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO262, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее