г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4410ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4410ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4410ZPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4820 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001566138
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
400
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: F3L400R12PT4PB26BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 800A 20MW, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 800 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC025N08LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AIMW120R035M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BC807-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRL2203NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB, N-Channel 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее