г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4410ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4410ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4410ZPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4820 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001566138
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
400
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS 16U E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: IRFB4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IGW75N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, IGBT Trench 650 V 120 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRL60SC216ARMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7, N-Channel 60 V 324A (Tc) 2.4W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: BCR183S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF6648TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее