г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4468PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4468PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC, N-Channel 100 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 299 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4468PBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
19860 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRFP4468PBF,SP001554960,IFEINFIRFP4468PBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP4468
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA80R360P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220, N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFIZ48N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP, N-Channel 55 V 36A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFU1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 390W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLML2030TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23, N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: BAT5404E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее