г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIHB33N60E-GE3 Infineon Technologies

Артикул
SIHB33N60E-GE3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V D2PAK,
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
SIHB33
Standard Package
1,000
Other Names
SIHB33N60E-GE3IN
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP200N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3, N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLMS6702TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP, P-Channel 20 V 2.4A (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Подробнее
Артикул: IPW60R060P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3, N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7904TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPP15N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1, N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее