г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR13N20DTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR13N20DTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK, N-Channel 200 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
394 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR13N20DTRPBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFR13N20DTRPBF,IRFR13N20DPBFDKR,IRFR13N20DTRPBFTR-ND,IRFR13N20DPBFCT,SP001567488,IRFR13N20DPBFTR,IRFR13N20DTRPBF-ND
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R500CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252, N-Channel 550 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IAUC28N08S5L230ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33, N-Channel 80 V 28A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Подробнее
Артикул: IRL2505PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB, N-Channel 55 V 104A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7509TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: BSC028N06NSSCATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее