г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3103 Infineon Technologies

Артикул
IRFR3103
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK, N-Channel 400 V 1.7A (Ta) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3103.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFR3103
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IMZ120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: BSS169H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: IHW40T60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 303 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRFS8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRFU1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее