г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3910PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3910PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
200 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3910PBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001571594
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1010EZ
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB, N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: F3L400R12PT4PB26BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 800A 20MW, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 800 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC0906NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW,
Подробнее
Артикул: BAT5405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IFS150B12N3E4PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 750W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 300 A 750 W Chassis Mount Module
Подробнее