г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR4510TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR4510TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N CH 100V 56A DPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
327 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR4510TRPBF.jpg
Other Names
IRFR4510TRPBFCT,SP001567870,IRFR4510TRPBFDKR,IRFR4510TRPBFTR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3031 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR4510
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: IRFSL4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO262, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 10A 600V ADV SIP05, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPD180N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: AUIRFS3107-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK, N-Channel 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее