г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR5305TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR5305TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR5305TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR5305PBFCT,IRFR5305PBFDKR,IRFR5305PBFTR,SP001557082,*IRFR5305TRPBF,Q2924500
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR5305
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: DZ600N18KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE 1800V 600A, Diode Standard 1800 V 600A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BC858B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IGW75N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 150 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLR8256PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK, N-Channel 25 V 81A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPI07N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее