г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR5305TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR5305TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR5305TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR5305PBFCT,IRFR5305PBFDKR,IRFR5305PBFTR,SP001557082,*IRFR5305TRPBF,Q2924500
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR5305
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7490TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO, N-Channel 100 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7493TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO, N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSP135H6906XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4, N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IPA60R600P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее