г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR6215PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR6215PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR6215PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
*IRFR6215PBF,SP001576010
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC50FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 70A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: SPP15N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1, N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRGB4059DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 8A 56W TO220AB, IGBT Trench 600 V 8 A 56 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF7809A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO, N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее