г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR812TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR812TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK, N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
95 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR812TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR812TRPBFDKR,IRFR812TRPBFCT,IRFR812TRPBFTR,SP001571554
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFR812
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSP716NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4, N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRF7468
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO, N-Channel 40 V 9.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BTS115A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, 15.5A (Tc)
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRGP4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AC, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее