г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU9024N Infineon Technologies

Артикул
IRFU9024N
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFU9024N.jpg
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFU9024N
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA50R190CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BSC012N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8, N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: IKW40N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 75 A 480 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSS84PW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3, P-Channel 60 V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFB42N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB, N-Channel 200 V 44A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее