г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ44EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFZ44EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
251 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFZ44EPBF.jpg
Other Names
*IRFZ44EPBF,SP001557776
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFZ44
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFSL4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO262, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: DD104N16KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V 104A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 104A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPS70R600P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: SGP30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW75N60TA
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR, IGBT
Подробнее