г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFZ44ESTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
281 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFZ44ESTRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFZ44ESTRLPBFCT,SP001576296,IRFZ44ESTRLPBFDKR,IRFZ44ESTRLPBFTR,IRFZ44ESTRLPBF-ND
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFZ44
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFZ46Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7749L2TR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET, N-Channel 60 V 33A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF9335PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO, P-Channel 30 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGPS66160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее