г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC160N15NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON, N-Channel 150 V 56A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
494 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC160N15NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC160N15NS5ATMA1CT,BSC160N15NS5ATMA1-ND,BSC160N15NS5ATMA1TR,BSC160N15NS5ATMA1DKR,2832-BSC160N15NS5ATMA1-448,SP001181422
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC160
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT64E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BAT1503WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: SKW15N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF3708S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF6216TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее