г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30KDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30KDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Цена
277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC30KDPBF.jpg
Test Condition
480V, 16A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 16A
Switching Energy
600µJ (on), 580µJ (off)
Gate Charge
67 nC
Td (on/off) @ 25°C
60ns/160ns
Other Names
*IRG4BC30KDPBF,SP001532644
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR4105Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF4905LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF1010ESTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK, N-Channel 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IHW40N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPD12CN10N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее