г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC40W Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC40W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC40W.jpg
Other Names
*IRG4BC40W
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Power - Max
160 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Switching Energy
110µJ (on), 230µJ (off)
Gate Charge
98 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
27ns/100ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP126N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFR3706PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK, N-Channel 20 V 75A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCW67C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IPA60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO220, N-Channel 600 V 31A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее