г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC40W Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC40W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC40W.jpg
Other Names
*IRG4BC40W
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Power - Max
160 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Switching Energy
110µJ (on), 230µJ (off)
Gate Charge
98 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
27ns/100ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC016N04LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: BFR193E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFU9024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: FF900R12IP4BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 5100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFS7437TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее