г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4IBC30SPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4IBC30SPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 23.5 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Цена
227 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4IBC30SPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
23.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
47 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 18A
Power - Max
45 W
Switching Energy
260µJ (on), 3.45mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
50 nC
Td (on/off) @ 25°C
22ns/540ns
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFIRG4IBC30SPBF,*IRG4IBC30SPBF,SP001549312,2156-IRG4IBC30SPBF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition
480V, 18A, 23Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPD03N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFB7434PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRF9540N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO220, P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: DF1400R12IP4D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DFXR12F - IGBT MODULE, IGBT
Подробнее