г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC50FDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC50FDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 70A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AC
Цена
961 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PC50FDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 39A
Power - Max
200 W
Switching Energy
1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
190 nC
Td (on/off) @ 25°C
55ns/240ns
Test Condition
480V, 39A, 5Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PC50FDPBF,SP001545704
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML2030TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23, N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRLB8314PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3, N-Channel 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BUZ72A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IKW20N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFZ44EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее