г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC50FDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC50FDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 70A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AC
Цена
961 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PC50FDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 39A
Power - Max
200 W
Switching Energy
1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
190 nC
Td (on/off) @ 25°C
55ns/240ns
Test Condition
480V, 39A, 5Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PC50FDPBF,SP001545704
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: BSC130P03LS G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFP3206PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC, N-Channel 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF40B207
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB, N-Channel 40 V 95A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: F3L15R12W2H3B27BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 20A 145W, IGBT Module - 3 Independent 1200 V 20 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFS4010-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее