г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH50UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH50UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Цена
1 218 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH50UDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 24A
Power - Max
200 W
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
160 nC
Td (on/off) @ 25°C
47ns/110ns
Test Condition
800V, 24A, 5Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PH50UDPBF,SP001542126
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR6404E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPI80N03S4L-04
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF5305STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFR4510TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 100V 56A DPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Подробнее