г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH50UPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH50UPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Цена
582 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH50UPBF.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 24A
Power - Max
200 W
Switching Energy
530µJ (on), 1.41mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
160 nC
Td (on/off) @ 25°C
35ns/200ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PH50UPBF,SP001547832
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
960V, 24A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC035N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: SPW11N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SI4410DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR505E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPA70R900P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO220, N-Channel 700 V 6A (Tc) 20.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IM393X6FXKLA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER MODULE 600V 20A MDIP22, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 20 A 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Подробнее