г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH42UD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH42UD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7PH42UD1PBF.jpg
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Power - Max
313 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Switching Energy
1.21mJ (off)
Gate Charge
180 nC
Other Names
SP001544966
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/270ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR6302VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: BAS40E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFS7540TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK, N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPD60R1K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7303PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее