г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4061DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4061DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 36A 206W TO220AB, IGBT Trench 600 V 36 A 206 W Through Hole TO-220AB
Цена
270 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB4061DPBF.jpg
Power - Max
206 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
36 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
72 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 18A
Switching Energy
95µJ (on), 350µJ (off)
Gate Charge
35 nC
Td (on/off) @ 25°C
40ns/105ns
Test Condition
400V, 18A, 22Ohm, 15V
Other Names
2156-IRGB4061DPBF-IT,IFEINFIRGB4061DPBF,SP001536144
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS35R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: DDB6U30N08VRBOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 26A 83.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 600 V 26 A 83.5 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFU024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF6608
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET, N-Channel 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRF3205ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее