г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4068D-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4068D-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Цена
1 263 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4068D-EPBF.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.14V @ 15V, 48A
Power - Max
330 W
Switching Energy
1.28mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
95 nC
Td (on/off) @ 25°C
-/145ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001542408,IRGP4068DEPBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRGP4068
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK, N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: SI4435DYTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPD08P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF5802TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6, N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IGCM04G60HAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее