г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4640D-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4640D-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 65A TO247AC, IGBT - 600 V 65 A 250 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4640D-EPBF.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
72 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 24A
Power - Max
250 W
Switching Energy
115µJ (on), 600µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
75 nC
Td (on/off) @ 25°C
41ns/104ns
Test Condition
400V, 24A, 10Ohm, 15V
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFIRFIRGP4640D-EPBF,IRGP4640DEPBF,2156-IRGP4640D-EPBFINF,SP001546168
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRGP4640
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
89 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP20N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3, N-Channel 650 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP4004PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC, N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF6795MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: IRF7526D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8, P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IRF6636
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET, N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее