г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4790PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4790PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 140 A 455 W Through Hole TO-247AC
Цена
653 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4790PBF.jpg
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
Power - Max
455 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Switching Energy
2.5mJ (on), 2.2mJ (off)
Gate Charge
210 nC
Other Names
INFIRFIRGP4790PBF,SP001541756,2156-IRGP4790PBF-IT
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
50ns/200ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFU5410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRF450
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA, N-Channel 500 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: IKW40N65ET7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW40N65ET7XKSA1, IGBT Trench Field Stop 650 V 76 A 230.8 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF6644TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее