г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP50B60PD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 75A 390W TO247AC, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Цена
1 703 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP50B60PD1PBF.jpg
Test Condition
390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Power - Max
390 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
IGBT Type
NPT
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.85V @ 15V, 50A
Switching Energy
255µJ (on), 375µJ (off)
Gate Charge
205 nC
Td (on/off) @ 25°C
30ns/130ns
Other Names
*IRGP50B60PD1PBF,SP001534060
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
400
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR3707ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, N-Channel 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFR220NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK, N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BF998E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143, RF Mosfet N-Channel 8 V 10 mA 45MHz 28dB - PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRFS4127TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее