г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL1404ZSTRL Infineon Technologies

Артикул
IRL1404ZSTRL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL1404ZSTRL.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5080 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
800
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IKA10N65ET6XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 15A TO220-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 15 A 40 W Through Hole PG-TO220-3-FP
Подробнее
Артикул: BC808-40
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BSS84PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3, P-Channel 60 V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF3709
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB, N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее