г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3803VPBF Infineon Technologies

Артикул
IRL3803VPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL3803VPBF.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 71A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3720 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL3803VPBF,SP001573706,IFEINFIRL3803VPBF,2156-IRL3803VPBFINF
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLIZ34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP, N-Channel 55 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IPB073N15N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: AUIRLS4030-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF9388TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, P-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее